东芝面向中大电流IGBT／MOSFET推出内置保护功能的光耦泥鳅养殖

东芝面向中大电流IGBT／MOSFET推出内置保护功能的光耦

中国上海，2020年3月10日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。

TLP5231产品示意图

新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。

目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器，仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流，有助于降低功耗。

通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小，TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求，从而简化设计。

其他功能包括：在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”；另外，除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外，还有UVLO[3]检测，将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性，能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

应用：

·IGBT与功率MOSFET栅极驱动（预驱动）

·交流电机和直流无刷电机控制

·工业逆变器与不间断电源（UPS）

·光伏（PV）电源调节系统

特性：

·内置有源时序控制的双输出，适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。

·当检测到过流时，通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。

·当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时，故障信号会输出到一次侧。

主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝-40至110℃，典型值@Ta＝25℃）

注释：

[1] 栅极信号软关断、故障反馈功能

[2] TLP5214、TLP5214A

[3] UVLO：欠压锁定

[4] 常见VE

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